原始标题：[见！我们的技术切割]芯片材料以新的成功而出现。当我们使用手机浏览视频并使用计算机处理复杂的数据时，我们不能期望支持这些设备的芯片高速工作，面临“增长问题”。作为芯片的主要材料，芯片的大小在继续转移到纳米级后，提高其性能开始遇到物理局限性。最近，一项由北京大学物理学学院教授刘·凯胡（Liu Kaihui）发表的，Qiu Chenguang，电子学院的研究员，江安·贾安芬（Jiang Jianfeng），博士生和刘·can（Liu Can），中国人民大学副教授，科学上的科学和低消费公路。
“我们每天使用的电子apasrato的性能更多地取决于芯片中电子的'速度'。电子运行材料的速度越快，数据处理越好，'转弯''更好的传输属性），设备的能耗越低。该技术，“潜力”逐渐达到了高潮。 “刘凯海（Liu Kaihui）告诉记者。
因此，世界各地的科学家都在努力寻找更好的“玩家”，二维材料由于其独特的原子层结构而进入了视野。 Qiu Chenguang说，较薄的晶体管通道，其转移效率越高，并且随着较窄的水管的量，其功率的消耗越低，关闭阀门就越容易。原子超薄硒化是其中最好的。从理论上讲，它的电子是硅的“运行速度”，但它们的能耗较低，而它们被认为是潜在的玩家，而不是基于硅的电子产品。但是，先前在硒化剂中的材料大多是小薄片，在实验室中被“手工剥落”。为了实现大规模应用，大面积和质量IND应该制作IUM硒化晶片，这始终是涵盖科学界的困难问题。
为什么要制作高质量的硒化晶片很难？
“它始于材料的'诱惑'。” Liu解释说，硒化剂包括两个元素：im依和硒，它们的“性质”差异很大：硒在高温下容易“逃脱”（高压蒸汽），而鉴别为Medyo“稳定”。这使得他们很难与准确的比例结合在一起，并且很容易开发“相位相”，例如砾石与面团混合，这会影响性能。同时，如果原子组织良好（结晶度）也很重要。混乱的修复程序越多，电子越难“运行”。
为了解决这些问题，研究团队采用了“固体固体”的智能方法。他们首先制作了“混乱”的无定形硒化膜，然后制作了一个特别密封的环境为此：用液体依赖膜密封膜，在高温下产生“富含ICH的液体界面”。这就像在一个混乱的房间里问一个魔术师。在此界面中，依赖和硒原子被重新形成，并最终形成纯净，有序和有序的晶体结构。通过此方法，该团队成功制备了直径约为5 cm的硒化晶圆。更是如此，这种共进晶片的“外观”和“强度”：表面的表面比原始的表面高10倍以上，并且原子修复已经达到了“单晶”水平，这意味着您可以在此处“正确地”进行电子。
“在良好的材料中，我们立即制作晶体管进行测试。” Liu Kaihui提出，结果令人惊讶：这些晶体管的电子“运行速度”（移动速度）基于超过现有二维材料设备的硒化晶片。更重要的是“过渡特征”。喜欢灯开关，一个好的晶体管应“ i -On the Light”（导电）和“ i -Off the Light”（绝缘）。显示了测试表明，硒化晶体管的“转移敏感性”接近理论极限，这意味着它将在能源消耗较低的情况下快速过渡。
该团队还确认了高级节点硒化晶体管的性能极限。 “我们制造的10纳米基岩丝晶晶体管的内在移动速度是现有的3纳米基硅硅的三倍，并且通过幅度级订单也提高了能源效率。半导体技术的当前路线图。
在刘凯海（Liu Kaihui）看来，这项研究的重要性不仅是材料本身。它首次意识到MSMALL区域的控制准备，高质量的硒化晶片，例如从“手持”升级到“自动工厂”，这为大规模生产奠定了基础。 “将来，基于此材料的芯片可能会导致电子设备的卓越性：手机电池寿命大大延长，计算机操作的速度将提高到更高的水平，人工智能培训的效率也将更高...即使在诸如灵活的电子和计算纸等边界领域也是如此。 ”（记者Jin Haotian）
（编辑：李·法，李Yihuan）
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